GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法
發(fā)布時(shí)間： 2023-08-23 13:21:26 點(diǎn)擊： 753
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法
GB/T 11073-2007是關(guān)于硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法的標(biāo)準(zhǔn)。它適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15mm、電阻率為1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅單晶圓片徑向電阻率變化的測(cè)量。
硅片的徑向電阻率是指硅片沿徑向方向的電阻率。在標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法中，硅片的徑向電阻率是通過(guò)測(cè)量硅片在不同位置的電阻值，然后計(jì)算出平均電阻率來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
具體的測(cè)試方法如下：
將硅片放在測(cè)試夾具上，并確保硅片與夾具接觸良好。
使用探針或電極在硅片的表面不同位置測(cè)量電阻值。
將所有測(cè)量點(diǎn)的電阻值記錄下來(lái)，并計(jì)算平均電阻率。
根據(jù)平均電阻率，可以判斷硅片的導(dǎo)電性能。
需要注意的是，硅片的徑向電阻率受到多種因素的影響，如硅片的厚度、晶向、摻雜濃度等。因此，在測(cè)試時(shí)需要控制測(cè)試條件并采取必要的修正措施，以保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
此外，對(duì)于硅片的電性能參數(shù)的測(cè)量，除了徑向電阻率外，還包括體電阻率、表面電阻率等參數(shù)。這些參數(shù)的測(cè)量對(duì)于評(píng)估硅材料的電性能和優(yōu)化器件的性能具有重要意義
