方塊電阻測(cè)試儀-四探針?lè)üδ苷f(shuō)明
發(fā)布時(shí)間： 2021-04-28 14:35:24 點(diǎn)擊： 2789
方塊電阻的計(jì)算方法
方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。
方塊電阻的計(jì)算方法：
方塊電阻：Rs=ρ/t(其中ρ為塊材的電阻率,t為塊材厚度）
或者寫(xiě)成電導(dǎo)率的表達(dá)式：Rs = 1/(σt)
這樣 在計(jì)算塊材電阻的時(shí)候，我們就可以利用方塊電阻乘以長(zhǎng)寬比例得到，計(jì)算過(guò)程與維度無(wú)關(guān)：
R=Rs*L/W(L為塊材長(zhǎng)度，W為塊材寬度）
方塊電阻測(cè)試儀是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、 ITO 導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。大顯示屏，直觀度數(shù)，穩(wěn)定性好，可以外接其他控制單元，與其他系統(tǒng)集成使用；適用于覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜等。
方阻測(cè)試新產(chǎn)品為薄膜測(cè)試提供機(jī)械、電氣兩方面的保護(hù)，在寬廣的量程范圍內(nèi)，使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無(wú)損的方塊電阻測(cè)量結(jié)果。
由于新型薄膜材料種類繁多，研制過(guò)程中樣品性能變化較大，而且各種薄膜的機(jī)械強(qiáng)度，允許承受的電壓、電均不相同，因此測(cè)試儀可為用戶量身定制各種定探針壓力及曲率半徑的探針頭，，測(cè)試電壓和測(cè)試電均可連續(xù)調(diào)節(jié)，給薄膜、涂層的研制者提供了個(gè)摸索測(cè)試條件的寬闊空間。
由于儀器設(shè)有恒源開(kāi)關(guān)，并且所有電檔在探針與樣品接觸后均有電接通的功能，充分保護(hù)了樣品表面不會(huì)因?yàn)樘结樈佑|時(shí)產(chǎn)生的電火花而受到損壞
方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。
方塊電阻的計(jì)算方法：
方塊電阻：Rs=ρ/t(其中ρ為塊材的電阻率,t為塊材厚度）
或者寫(xiě)成電導(dǎo)率的表達(dá)式：Rs = 1/(σt)
這樣 在計(jì)算塊材電阻的時(shí)候，我們就可以利用方塊電阻乘以長(zhǎng)寬比例得到，計(jì)算過(guò)程與維度無(wú)關(guān)：
R=Rs*L/W(L為塊材長(zhǎng)度，W為塊材寬度）
方塊電阻測(cè)試儀是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、 ITO 導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。大顯示屏，直觀度數(shù)，穩(wěn)定性好，可以外接其他控制單元，與其他系統(tǒng)集成使用；適用于覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜等。
方阻測(cè)試新產(chǎn)品為薄膜測(cè)試提供機(jī)械、電氣兩方面的保護(hù)，在寬廣的量程范圍內(nèi)，使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無(wú)損的方塊電阻測(cè)量結(jié)果。
由于新型薄膜材料種類繁多，研制過(guò)程中樣品性能變化較大，而且各種薄膜的機(jī)械強(qiáng)度，允許承受的電壓、電均不相同，因此測(cè)試儀可為用戶量身定制各種定探針壓力及曲率半徑的探針頭，，測(cè)試電壓和測(cè)試電均可連續(xù)調(diào)節(jié)，給薄膜、涂層的研制者提供了個(gè)摸索測(cè)試條件的寬闊空間。
由于儀器設(shè)有恒源開(kāi)關(guān)，并且所有電檔在探針與樣品接觸后均有電接通的功能，充分保護(hù)了樣品表面不會(huì)因?yàn)樘结樈佑|時(shí)產(chǎn)生的電火花而受到損壞
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